银离子迁移的后果
无机介质电容器多半采用银电极,MLCC陶瓷电容,半密封电容器在高温条件下工作时,渗入电容器内部的水分子产生电解。在阳极产生氧化反应,银离子与氢氧根离子结合生成氢氧化银。在阴极产生还原反应、氢氧化银与氢离子反应生成银和水。由于电极反应,阳极的银离子不断向阴极还原成不连续金属银粒,靠水膜连接成树状向阳极延伸。银离子迁移不仅发生在无机介质表面,银离子还能扩散到无机介质内部,引起漏电流增大,严重时可使两个银电极之间完全短路,导致电容器击穿。
银离子迁移可严重破坏正电极表面银层,引线焊点与电极表面银层之间,间隔着具有半导体性质的氧化银,使无机介质电容器的等效串联电阻增大,MLCC电容断裂,金属部分损耗增加,电容器的损耗角正切值显著上升。
高频精密电容器的低电平失效机理
云母是一种较理想的电容器介质材料,具有很高的绝缘性能,耐高温,介质损耗小,厚度可薄达25微米。云母电容器的主要优点是损耗小,频率稳定性好、分布电感小、绝缘电阻大,特别适合在高频通信电路中用做精密电容器。但是,云母资源有限,MLCC电容,难于推广使用。近数十年内,**薄膜电容器获得*发展,MLCC,其中聚苯乙烯薄膜电容器具有损耗小、绝缘电阻大、稳定性好、介质强度高等优点。精密聚苯乙烯电容器可代替云母电容器用于高频电路。需要说明的是:应用于高频电路中的精密聚苯乙烯电容器,一般采用金属箔较板,以提高绝缘电阻与降低损耗。